泰克功率器件IGBT測試方案簡介
IGBT簡介:
IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率,期間經常使用在強電流高電壓的場景中,如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優點,IGBT是電力電子設備的“cpu”,被國家列為重點研究對象。
IGBT測試難點:
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個測量模塊協同測試。
2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設備進行測試。
3、IGBT動態電流范圍大,測試時需要量程范圍廣,且量程可以自動切換的模塊進行測試。
4、由于IGBT工作在強電流下,自加熱效應明顯,脈沖測試可以減少自加熱效應,所以MOSFET需要進行脈沖IV測試,用于評估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容,且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。
6、IGBT開關特性非常重要,需要進行雙脈沖動態參數的測試。
測試方案:
靜態測試設備:2600-PCT。可選200V/10A低壓基本配置、200V/50A高流配置、3000V/10A高壓配置、3000V/50A高壓高流等配置。
測試載臺:高功率探針臺/測試夾具
動態測試設備:函數發生器+泰克示波器MSO5/6+探頭
測試載:臺配套電源測試板
泰克優勢:
1.全面的靜態動態測試方案;
2.最高100A/3000V高壓高流高精度設備;四線法配置;可進行脈沖測試;最小脈寬100US;從fF到uf電容測試能力;
3.高性能測試夾具支持多種封裝類型;
4.支持大多數探頭類型,包括KHV三同軸,AHV三同軸,標準三同軸等;可適配絕大部分高功率探針臺;
5.高壓/高流/高壓&高流靈活配置。
測試項目舉例:
靜態參數標準測試項目:
擊穿電壓;閾值電壓;開態電流;漏電流;正向跨導;輸入電容;輸出電容;反向傳輸電容等;
動態參數標準測試項目:
開通時間;關斷時間;關斷延遲時間;下降時間,單脈沖開通能量;單脈沖關斷能量。
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